一种选域金刚石膜的制备方法 _专利

一种选域金刚石膜的制备方法

关键词选域 , 金刚石膜 , 制备|2010-12-22 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种选域金刚石膜的制备方法公开号1364945公开日2002.08.21主分类号C23C16/04

名称	一种选域金刚石膜的制备方法
公开号	1364945	公开日	2002.08.21
主分类号	C23C16/04	分类号	C23C16/04;C23C16/27
申请号	01124619.7
分案原申请号		申请日	2001.07.25
颁证日		优先权
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	地址	130022吉林省长春市人民大街140号
发明人	赵海峰;宋航;李志明;金亿鑫;邴秀华	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	长春科宇专利代理有限责任公司	代理人	梁爱荣
摘要	本发明涉及制备金刚石薄膜的方法，在选域衬底的导电图形上生成籽晶衬底实现金刚石膜精确定域沉积；对籽晶衬底继续生长制备不同特性的金刚石膜。金刚石膜与衬底附着牢固；例如：制备金刚石场发射冷阴极，将电子发射区域有效地控制在所选择区域，集中密集发射。特别是在微尖(台)顶部预沉积籽晶并生长金刚石的冷阴极，可较好的利用场增强效应，避免发射点过于分散，有利于提高微尖处的电流

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