日本住友电气工业株式会社（SEI）和大阪公立大学（OMU）在与日本科学技术振兴机构（JST）的联合研究项目中，在2英寸多晶金刚石（PCD）衬底上制造了氮化镓高电子迁移率...
美国斯坦福大学和加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEM...
在追求更高功率密度和更优性能的电子器件领域，GaN（氮化镓）器件因其卓越的性能而备受瞩目。然而，随着功率密度的不...
在半导体技术的前沿领域，金刚石/GaN异质外延技术正受到广泛关注。异质外延技术通常需要在外延表面沉积缓冲层，包括金刚石异质外延GaN技术和GaN底面异质外延金刚石技术。...
目前，金刚石与GaN功率器件的集成通常从两方面进行，一是GaN顶部的器件层散热，主要应用金刚石钝化散热技术，金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石，提高热点顶部的热扩...
透明硬脆材料由于其出色的机械强度、热稳定性、抗腐蚀性以及优良的光电性能，已被广泛应用于半导体和电子器件制造领域。然而，传统的切片工艺，如金刚线切割，存在效率低、材料浪费...
氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。金刚石具有极高的导热率，有望作为半导体元件的散热...
材料往往因特定优势而闻名。金刚石正因为在室温下具有最高的热导率（2000W/m.K)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照等优越性能，...
在“SEMICONJapan2022”（2022年12月14日至16日，东京国际展示场）上，首次举办了“学术奖”，以表彰有前途的大学/研究生院半导体研究。最高奖颁发给大...
近日，黑龙江省政府印发《黑龙江省人民政府关于第一届黑龙江省专利奖授奖的决定》(黑政发〔2022〕24号)，授予“...
材料往往因特定优势而闻名。金刚石正因为在室温下具有最高的热导率（2000W/m.K)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照等优越性能，...
据麦姆斯咨询报道，三菱电机（MitsubishiElectric）宣布与美国国家先进工业科学与技术研究所（AIS...
2006年，美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT），4GHz时的输出功率密度达到41.4W/mm。近十多年来，氮化镓（GaN）的研究热潮...
12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议（SISC2017）上，日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司（FujitsuLaboratoriesLt...
申请号：201611084413.8申请人：陕西科技大学发明人：王进军摘要：本发明公开了一种金刚石热沉衬底GaN...
在全球产业格局深度调整与材料创新浪潮中，人造金刚石以其独特的...
2月7日，中国超硬材料网总经理石超一行走进郑州沃德超硬材料有...
中国超硬材料网将通过一件件大事件回顾2023年的超硬材料行业华丽蝶变，在回顾和盘点中，温故知新！
2023年9月20日，时隔四年，期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展，加强国内外企业的交流与合作。
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