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2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世,通信核心器件迎来高功率低功耗新时代

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日本住友电气工业株式会社(SEI)和大阪公立大学(OMU)在与日本科学技术振兴机构(JST)的联合研究项目中,在2英寸多晶金刚石(PCD)衬底上制造了氮化镓高电子迁移率...

日期 2天前   
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