同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法 _专利

同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法

关键词同位素 , 外延 , 金刚石薄膜 , 制备 |2010-12-09 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法公开号1057869公开日1992.01.15主分类号C30B25/02&

名称	同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
公开号	1057869	公开日	1992.01.15
主分类号	C30B25/02	分类号	C30B25/02;C30B25/20;C30B29/04
申请号	91104585.6
分案原申请号		申请日	1991.07.02
颁证日		优先权	[32]1990.7.2[33]US[31]547,651
申请人	通用电气公司	地址	美国纽约州
发明人	威廉·Ｆ·班霍尔泽; 托马斯·Ｒ·安东尼; 丹尼斯·Ｍ	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	中国专利代理有限公司	代理人	王景朝; 杨丽琴
摘要	本发明涉及一种由同位素纯的碳－１２和碳－１３所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中，同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳－１２或碳－１３在一个单晶基体上形成的。

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