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　　申请号：201410727811.1

       申请人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院

       发明人：冯双龙 陆文强 宋金会 王凤丽 王亮 李振湖

       摘要： 本发明公开了一种多孔金刚石薄膜的制备方法，将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。该方法不需要模板，也无需复杂的预处理工艺和高温过程，能够避免金属污染，使处理工序更加简化。

       主权利要求：1.一种多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于微波等离子体化学气相沉积装置中，所述硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至微波等离子发生区域，加热至750-850℃；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔金刚石薄膜。

       2.如权利要求1所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源为同时含有SP3和SP2碳原子的有机化合物。

       3.如权利要求2所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源为甲酸甲酯。

       4.如权利要求1-3中任意权利要求所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述工作 气体选自氢气，氩气或氦气中的一种或多种。

       5.如权利要求3所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，工作气体除载入碳源甲酸甲 酯外，还可以载入一种或多种掺杂气体。

       6.一种多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于微波等离 子体化学气相沉积装置中，该硅衬底表面镀有一层金属Pt薄膜作为催化剂；将真空度控制在 10-30毫巴，通入H2并加热至750-850℃，以Ar为载气将碳源甲酸甲酯带入微波等离子发生 区域；沉积得到块体的金刚石薄膜；将薄膜在500-600℃空气氛围中煅烧，得到多孔的金刚 石薄膜。

       7.如权利要求6所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述Pt薄膜的的厚度为3-5nm。

       8.如权利要求6或7所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述H2的流速为 95-99sccm，Ar的流速为5-1sccm。

       9.如权利要求8所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述金刚石薄膜的沉积生长 时间为3-10小时。

       10.如权利要求9所述多孔金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，煅烧时间为30-60分钟。