一种直接生成高纯α-SiC微粉的工艺方法 _专利

一种直接生成高纯α-SiC微粉的工艺方法

关键词直接 , 高纯 , α-SiC , 微粉 , 工艺|2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称一种直接生成高纯α-SiC微粉的工艺方法公开号1163859公开日1997.11.05主分类号C01

名称	一种直接生成高纯α-SiC微粉的工艺方法
公开号	1163859	公开日	1997.11.05
主分类号	C01B31/36	分类号	C01B31/36;C04B35/565
申请号	96108683.1
分案原申请号		申请日	1996.07.12
颁证日		优先权
申请人	江西省陶瓷研究所	地址	333001江西省景德镇市东郊新厂西路121号
发明人	张升棣; 王文章; 唐建华; 王文英; 黄卫云; 郭莉娥; 雷	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	江西省景德镇市专利事务所	代理人	熊赣荣
摘要	本发明是一种以石英粉为主要原料，配料后，经低温碳热还原直接生成高温型碳化硅（α－ＳｉC）粉料的工艺方法。其要点是该方法包括：按照石英粉４５—５５、活性炭３０—５０、复合型催化剂１—９、有机粘结剂３—５的比例组配基料（重量％）；基料造粒、干燥处理、装钵入炉（窑），反应物料在１４５０—１７５０℃温度中进行碳热还原等。$ 该方法具有工艺简单、反应温度低、节能效益高、而且极易获得纯度高、平均粒度细小≤１μＭ的α－ＳｉC微粉级产品。

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