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宁波晶钻科技取得用于金刚石生长的衬底专利,拼接缝小的生长表面

金融界2025年6月7日消息,国家知识产权局信息显示,宁波晶钻科技股份有限公司取得一项名为“一种用于金刚石生长的衬底”的专利,授权公告号CN222948520U,申请日...

日期 10小时前   
金刚石衬底:为5G和卫星通信打造“不发烧”的氮化镓芯片

金刚石衬底:为5G和卫星通信打造“不发烧”的氮化镓芯片

近日,住友电气工业株式会社(以下简称“住友电工”)与大阪公立大学(以下简称“OMU”)在日本科学技术振兴机构(J...

日期 2025-06-05   

2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世,通信核心器件迎来高功率低功耗新时代

2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世,通信核心器件迎来高功率低功耗新时代
2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世,通信核心器件迎来高功率低功耗新时代
2英寸多晶金刚石衬底GaN HEMT问世,通信核心器件迎来高功率低功耗新时代

日本住友电气工业株式会社(SEI)和大阪公立大学(OMU)在与日本科学技术振兴机构(JST)的联合研究项目中,在2英寸多晶金刚石(PCD)衬底上制造了氮化镓高电子迁移率...

日期 2025-06-04   

晶驰机电申请防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置专利,避免气流冲击金刚石衬底提高均匀性

金融界2025年5月2日消息,国家知识产权局信息显示,杭州晶驰机电科技有限公司申请一项名为“一种防气流冲击的大尺寸金刚石生长MPCVD装置及其工作方法”的专利,公开号C...

日期 2025-05-08   

上海天岳申请碳化硅-金刚石复合衬底专利,提高复合衬底整体的热导率

金融界2025年4月24日消息,国家知识产权局信息显示,上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅-金刚石复合衬底及应用”的专利,公开号CN119812142A...

日期 2025-04-25   

50万片金刚石衬底产线,签约!

50万片金刚石衬底产线,签约!
50万片金刚石衬底产线,签约!
50万片金刚石衬底产线,签约!

4月1日,新疆碳基芯材科技有限公司与新疆中田投资开发集团有限公司达成战略合作,计划建设50万片金刚石衬底产线,共建量子钻石原子钟创新联盟,并推动建立面向中亚市场的超硬材...

日期 2025-04-09   

金刚石衬底,日本再破纪录!

近日,日本Orbray株式会社在金刚石衬底领域取得了重大技术突破,成功研制出全球最大尺寸的电子产品用金刚石基板,其规格达到了20mmx20mm。这一进展在一定程度上推动...

日期 2025-04-07   

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(二)

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(二)
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(二)
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(二)

2热化学抛光(TCP)Grodzinski在实验中发现,把金刚石放置在600℃至1800℃的铁、镍等金属板上,金刚石的接触面会溶解到金属中,使金刚石表面变得平整,从而提...

日期 2025-03-24   

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(一)

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(一)
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(一)
金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望(一)

摘要:随着半导体电子器件的集成化与小型化发展,金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求,需对金刚石表...

日期 2025-03-24   

“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战

“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战
“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战
“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战

金刚石是由单一碳原子组成的具有四面体结构的原子晶体,属于典型的面心立方(FCC)晶体,空间点群为oh7-Fd3m。每个碳原子以sp3杂化的方式与其周围的4个碳原子相连接...

日期 2025-03-10   

哈密优普莱高品质金刚石毛坯及芯片衬底材料项目开工

2月27日上午,新疆哈密市隆重举行2025年全市重大项目集中开复工仪式,全市2月份95个重点项目集中开复工。此次新开工的哈密优普莱芯材科技有限公司高品质金刚石毛坯及芯片...

日期 2025-03-04   
惠丰钻石闪耀极光,8寸衬底切割专用微粉荣获年度优秀产品奖

惠丰钻石闪耀极光,8寸衬底切割专用微粉荣获年度优秀产品奖

2024年行家极光奖颁奖典礼在行业内引起了广泛关注。经过数月时间的紧密筹划和专家组委会的严格评选,惠丰钻石凭借其...

日期 2024-12-19   

西安交大研究团队“2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化”荣获2024年度中国第三代半导体技术十大进展

西安交大研究团队“2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化”荣获2024年度中国第三代半导体技术十大进展
西安交大研究团队“2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化”荣获2024年度中国第三代半导体技术十大进展
西安交大研究团队“2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化”荣获2024年度中国第三代半导体技术十大进展

金刚石作为一种“终极半导体材料”,在力、热、声、光、电等方面都具有十分优异的性能,如超宽禁带、高载流子迁移率、超高热导率、高击穿电场等,在高温、高效、超高频、超大功率半...

日期 2024-12-02   
研究实现异质外延单晶金刚石衬底的制备

研究实现异质外延单晶金刚石衬底的制备

近日,西安交大王宏兴教授团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,首次在Ir(111)/蓝宝石表面实现...

日期 2024-11-26   

第三代、第四代半导体衬底材料如何高效加工?器件散热如何攻克?Carbontech半导体与加工主题论坛,上海见

金刚石半导体产业化在即金刚石半导体产业化在即!生长技术大幅度提升,金刚石从工业级-宝石级-热学级-光学级-电子级,逐步跃迁,同时价格下行,带动应用端的尝试。市场需求驱动...

日期 2024-11-14   
日本:多家企业大举进军8英寸键合碳化硅衬底

日本:多家企业大举进军8英寸键合碳化硅衬底

键合碳化硅衬底即指通过在低电阻多晶SiC支撑衬底上键合一层高质量的单晶SiC薄层,这些产品能够在保持单晶SiC特...

日期 2024-10-14   

碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向
碳化硅SiC衬底抛光新方向

碳化硅作为一种新兴的半导体材料,具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性,使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能,碳化硅可以广泛地应用于衬...

日期 2024-08-05   
金刚石衬底抛光的烦恼

金刚石衬底抛光的烦恼

近年来,随着电动汽车和5G通信等新兴产业的迅猛发展,第三代半导体材料如碳化硅和氮化镓受到了广泛关注。然而,在这些...

日期 2024-07-11   
重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

重塑半导体未来:金刚石衬底材料的崛起与无限可能

随着科技的飞速发展和全球对高性能、高效率半导体器件需求的不断增长,半导体衬底材料作为半导体产业链中的关键技术环节...

日期 2024-07-04   

天岳先进申请金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法专利,能够实现对金刚石衬底的均匀且高效研磨

2024年6月13日消息,天眼查知识产权信息显示,山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法“,公开号CN20241057902...

日期 2024-06-24   
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第六届磨料磨具磨削展览会暨2023金刚石产业大会

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2023年9月20日,时隔四年,期待已久的第六届磨料磨具磨削展览会在郑州国际会展中心隆重开幕。本次展览会由中国机械工业集团有限公司、国机精工股份有限公司、中国机械国际合作股份有限公司联合主办。旨在推动中国磨料磨具行业的快速发展,加强国内外企业的交流与合作。