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       金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅-金刚石复合衬底及应用”的专利，公开号CN119812142A，申请日期为2025年1月。

       专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅‑金刚石复合衬底及应用，属于半导体材料领域。该碳化硅‑金刚石复合衬底，包括如下特征：从下至上依次包括碳化硅衬底层、界面层和多晶金刚石层；碳化硅‑金刚石复合衬底的热导率≥650(W/(m·K))；透光率≥26％；直径≥1英寸。本申请的碳化硅‑金刚石复合衬底，通过在碳化硅衬底层和多晶金刚石层中设置界面层，一方面能够降低层与层之间的界面热阻，提高复合衬底整体的热导率；另一方面缩小了碳化硅衬底层和多晶金刚石层的差异性，避免二者的脱层，以得到晶体形貌完整的复合衬底。

       天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可50个。