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一种用于生长金刚石单晶的新型籽晶托盘

申请号:201420738188.5申请人:常州宝颐金刚石科技有限公司发明人:史玉芬周学芹刘小利摘要:本

日期 2015-05-05   

一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法

申请号:201410794743.0申请人:哈尔滨工业大学发明人:王杨代兵朱嘉琦舒国阳摘要:本发明公开

日期 2015-04-24   

节能新生力:3英寸半绝缘碳化硅单晶生长技术

《国家中长期科学和技术发展规划纲要》中的新一代信息功能材料、器件、军工配套关键材料及工程化等,都与第三代半导体——碳化硅晶体有关,《规划纲要》将“高效节能、长寿命的半导...

日期 2015-04-08   

一种生长宝石级金刚石单晶用双层腔体装置

申请号:201420619939.1申请人:赤峰学院发明人:黄国锋摘要:一种生长宝石级金刚石单晶用双层腔体装

日期 2015-03-03   

基于DSP的金刚石生长六面顶压机专用压力控制电路

申请号:201420401815.6申请人:天津职业技术师范大学摘要:本实用新型涉及一种基于DSP控制的金刚石生长六面顶压机专用压力控制电路,其压力控制电路包括压力传感...

日期 2014-12-22   

用于金刚石单晶生长的金伯利岩基容器

申请号:201320137169申请人:江苏西玉钻石科技有限公司摘要:本实用新型涉及一种用于人造金刚石单晶生长的金伯利岩基容器,具有坩埚容器,坩埚容器具有壁体以及由壁体...

日期 2013-12-16   

用于金刚石单晶生长的钾镁煌斑岩基容器

申请号:201320133175申请人:江苏西玉钻石科技有限公司摘要:本实用新型涉及一种用于人造金刚石单晶生长的钾镁煌斑岩基容器,具有坩埚容器,坩埚容器具有壁体以及由壁...

日期 2013-11-06   

一种金刚石单晶生长用石墨梯度发热元件

申请号:201320136502申请人:江苏西玉钻石科技有限公司摘要:本实用新型涉及一种人造金刚石单晶生长用石墨梯度发热元件,具有锥形石墨发热管,锥形石墨发热管具有发热...

日期 2013-09-30   
等离子体射流反应器加快金刚石生长速率

等离子体射流反应器加快金刚石生长速率

近日,英国的一项等离子体射流反应器技术将替代传统的微波反应器技术来快速生产人造金刚石,其合成速度或将比以前提到1...

日期 2013-08-06   
石墨烯生长纳米线技术

石墨烯生长纳米线技术

自组装线结构由材料成分的核和外壳组成,这是未来先进电子设备应具备的特质。纳米线作为一种半导体材料的纳米级微型导线...

日期 2013-07-13   
MC模拟研究CVD聚晶金刚石薄膜生长

MC模拟研究CVD聚晶金刚石薄膜生长

近日,俄罗斯国立大学Skobel’tsyn研究所的Yu.A.Mankelevich和英国Bristol大学化学院...

日期 2013-06-18   
石墨烯超低温可控外延生长研究取得进展

石墨烯超低温可控外延生长研究取得进展

近日,微尺度物质科学国家实验室张振宇教授理论研究组与国内外相关课题组合作,在石墨烯超低温可控外延生长研究方面取得...

日期 2013-06-06   

高温高压生长金刚石的内部即时测温装置

申请号:201220643240申请人:台钻科技(郑州)有限公司摘要:本实用新型涉及一种测量装置,特别涉及一种用于高温高压生长金刚石的内部即时测温装置,包含热电偶丝及温...

日期 2013-05-15   

一种CBN粉体表面生长瘤状物的方法

申请号:CN102330078A申请人:郑州轻工业学院本发明公开了一种CBN粉体表面生长瘤状物的方法,步骤如下:将CBN粉体进行除油、粗化、敏化、活化、还原处理,然后进...

日期 2013-03-19   

金刚石薄膜生长方法是怎样分类的?

答:金刚石薄膜的生长方法有很多种,归纳起来可分为两大类。一类是化学气相沉积方法,简称CVD;另一类是物理气相沉积方法,简称PVD法。这两类方法中,前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

金刚石薄膜生长的一般规律是什么?

答:金刚石薄膜的形成过程一般要经历3个阶段,即成核及分立晶体的生长、岛状结构(或网状结构)的形成和连续薄膜的形成。(1)金刚石薄膜的成核晶体成核分为两种类型:均相成核和...

日期 2012-12-04   

生长较粗的优晶或提高45/50粒度的金刚石强度和单产其必要条件和充分条件是什么?

答:实现上述目标的必要和充分条件是:(1)保证有较大的生长空间和足够合适的合成时间;(2)控制成核数量不宜过多过密,保证晶粒之成核点间距和均匀分布(与控制工艺有关);(...

日期 2012-11-14   

金刚石生长中影响压力的因素有哪些

答:1、焙烧温度:同样的叶腊石块,用不同的温度焙烧,其传压性能不同,如果焙烧温度低,其剪切强度小,摩擦系数过小,在加压时叶蜡石易从压头之间挤出,这样密封性能差,压力建立...

日期 2012-11-09   
金刚石单晶生长的声发射信号分析

金刚石单晶生长的声发射信号分析

在2012中国超硬材料技术发展论坛上,来自中原工学院材料与化工学院的刘磊作了关于《金刚石单晶生长的声发射信号分析...

根据什么原则来选择优质金刚石晶体生长参数?

答:(1)起始加热、加压时间(2)台阶压力。石墨在合金中的再结晶实验结果显示,台阶压力的选择不是任意的,不能过低,也不能过高,台阶压力过低,石墨在再结晶阶段不能很好地向...

日期 2012-11-02   
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