金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法 _专利

金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法

关键词金刚石薄膜 , 冷阴极结构 , 制备方法 |2010-12-15 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法公开号1274020公开日2000.11.22主分类号C23C16/513&nb

名称	金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法
公开号	1274020	公开日	2000.11.22
主分类号	C23C16/513	分类号	C23C16/513
申请号	00107439.3
分案原申请号		申请日	2000.05.15
颁证日		优先权
申请人	北京工业大学	地址	100022北京市朝阳区平乐园100号
发明人	陈光华; 张阳	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	北京工业大学专利代理事务所	代理人	张慧
摘要	一种金刚石薄膜冷阴极结构及其制备方法属于场致电子发射技术领域。本发明的金刚石薄膜冷阴极结构，包括金属衬底和金刚石晶粒，其特征为采用金属Cu 作衬底且在金属衬底上若干个熔融的小孔内生长出金刚石晶粒。其制备方法包括用微波等离子体清洗Cu，使Cu熔融形成小孔，然后采用常规方法使金刚石晶粒在所限定的小孔内成核、生长。用该方法制备出的单晶金刚石薄膜冷阴极结构，具有阈值电压低、场发射电流密度大且制备温度低的特点。

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