弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法 _专利

弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法

关键词弧光放 , 气相沉积 , 金刚石薄膜|2010-12-09 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法公开号1041187公开日1990.04.11主分类号C23C16/26&n

名称	弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法
公开号	1041187	公开日	1990.04.11
主分类号	C23C16/26	分类号	C23C16/26;C23C16/50
申请号	89107140.7
分案原申请号		申请日	1989.09.19
颁证日		优先权
申请人	北京市科学技术研究院; 兰州大学电子材料研究所	地址	北京市西外南路19号
发明人	蒋翔六; 张仿清	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	北京市专利事务所	代理人	郭佩兰
摘要	一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷与氢气的混合气体为直流弧光放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的反应源气，甲烷在反应源气中的浓度控制在０．５～２．０％之间，反应中还适当增大了反应源气的流量，流量范围为２０００～５０００标准立方厘米／分。用本发明提供的方法制备的金刚石薄膜的平均生长速率为４０～６０微米／小时（四小时的平均值），薄膜中的金刚石晶粒线度可达５０～６０微米，本方法与已有方法相比，沉积工艺易于控制，薄膜沉积的重复性较好。

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