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　　申请号：201610256111.8
　　申请人：武汉理工大学
　　发明人：章嵩 李登峰 徐伟清 涂溶 张联盟

　　摘要：本发明公开了一种利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法，通过在原来MPCVD装置的基础上增加一个用于测温和支撑的热电偶、用于感应产热的石墨管以及铜线圈，在反应的过程中，通过置于基板座中的热电偶配合中频感应加热器对基板温度进行快速且精准的调控。本发明方法既保留了原有MPCVD系统沉积金刚石膜的优点，又能为金刚石薄膜的生长提供稳定的条件，结合对基板的预处理以及通入辅助气体提高形核密度，能够生长出晶粒尺寸和薄膜厚度均匀的金刚石薄膜。 　　主权利要求：1.利用MPCVD中频感应辅助加热制备金刚石薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基板放入混有金刚石微粉的丙酮溶液中，超声震荡一定时间，用去离子水洗净后以氮气吹干；(2)将处理好的基板置于基板座上，设定好MPCVD系统和中频感应辅助加热器；(3)抽真空并打开中频感应辅助加热器的开关，对基板进行预热；(4)在温度接近设定值时通入反应气体与载流气，调节流量计使气流速度稳定；(5)打开微波源，激发前驱体，开始沉积金刚石薄膜，中频感应辅助加热器通过热电偶实时监控基板温度使其保持稳定，直至沉积结束。
　　2.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(1)中金刚石微粉的粒径为30-40μm，金刚石在丙酮中的混合浓度为10g/L。
　　3.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)中MPCVD系统沉积腔压力设定在1000-6000Pa，基板温度设定在600-900℃。
　　4.如权利要求1中所述的制备金刚石薄膜的方法，其特征在于：步骤(4)中通入的气体为CH4、H2和CO2，气体总流量为400-800sccm，CH4与H2的质量流量比小于5％。