专利号：CN102230216A
申请人：中国科学院研究生院
一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法，属于单晶金刚石的制备技术领域。通过调控等离子体的流体特性，构建出稳定的层流等离子体边界层，使单晶金刚石能够在大尺寸衬底上进行稳定生产。从而避免当前直流等离子体沉积单晶金刚石的多晶化和小尺寸衬底的问题。优点在于提供了一条适合采用大尺寸籽晶、稳定制备单晶金刚石的途径，使单晶金刚石稳定生产区尺寸在等离子体运动轴线方向达到7cm，并有效抑制了单晶生长表面的多晶化。
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