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微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台

关键词 化学沉积 , 单晶 , 金刚石|2018-01-08 08:51:13|行业专利
摘要 申请号:201720707933.3申请日:2017.06.16申请人:北京科技大学发明人:李成明;赵云;林亮珍;安康;郑宇亭;黑立富;刘金龙;魏俊俊;陈良贤摘要:一种微波等离子体...

申请号: 201720707933.3

申请日: 2017.06.16

申请人: 北京科技大学

发明人: 李成明; 赵云; 林亮珍; 安康; 郑宇亭; 黑立富; 刘金龙; 魏俊俊; 陈良贤

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       摘要: 

       一种微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台,所述沉积台由内外两部分组成,外部为屏蔽套环,内部为金刚石籽晶托;所述屏蔽套环中部开有阶梯形通孔,上部为四边形方孔,下部为圆孔;所述金刚石籽晶托为阶梯轴状,上部为四方轴,下部为圆轴。本实用新型在微波等离子体化学气相沉积生长单晶金刚石的过程中,通过屏蔽套环对微波电场的屏蔽作用,减少电场对其产生的边缘效应,提高单晶金刚石合成的局部可控性,并使金刚石籽晶处在一个合适的热环境中,以促进在高生长速率下进行高质量单晶金刚石的生长,同时在生长结束后,便于对金刚石与籽晶托接触面之间所产生的沉积物或碳化物进行清理,维持界面之间的良好导热,提高单晶金刚石生长工艺参数的可重复性。

       主权利要求:

       一种微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石用的沉积台,其特征在于:所述沉积台由内外两部分组成,外部为屏蔽套环,内部为金刚石籽晶托。

 

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