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       专利号：201010277501

       申请人：西南科技大学

       技术简要说明：本发明是掺氮纳米金刚石薄膜的制备方法。包括：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸为原料，合成得到C60含氮衍生物；b、将C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液，放入液态源容器中；c、将单晶硅基片放入微波等离子体反应腔中的样品台上，开启微波发生器，并向液态源容器通入氩气，通过液体鼓泡法用氩气将C60含N衍生物分子载入反应腔中并在微波能激励下共同形成等离子体金刚石薄膜。本发明生成的掺氮纳米金刚石薄膜电子电导率大，最高达1.31×102Ω-1cm-1，迁移率也较高，对应电导率最大值时可到22cm2/V·s。本发明制备高电导率n型金刚石膜方法简便，实施容易。