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       本发明公开了一种在金刚石颗粒表面制备SiC层的方法，将金刚石颗粒与Si粉、聚碳硅烷丙酮溶液、碘粉混合均匀后，于900～1200℃的真空环境中固相反应1～5小时，其中，Si粉质量为金刚石颗粒质量的5～20％；聚碳硅烷质量为金刚石颗粒质量的0.1～5％；碘粉质量为金刚石颗粒质量的0.5～5％，反应结束后冷却至室温，过100目筛，分离出镀覆SiC层的金刚石颗粒。本发明通过真空固相反应，在金刚石颗粒表面形成SiC层，从而有效增强了金刚石颗粒的表面综合性能，拓展了其应用面；本发明所采用的原料易得、工艺简单，具有广阔的应用前景。

       １．一种在金刚石颗粒表面制备ＳｉＣ层的方法，其特征在于，将金刚石颗粒与Ｓｉ粉、聚碳硅烷的丙酮溶液、碘粉混合均匀后，于９００～１２００℃的真空环境中固相反应１～５小时，反应结束后冷却至室温，过１００目筛，分离出镀覆ＳｉＣ层的金刚石颗粒；其中，Ｓｉ粉质量为金刚石颗粒质量的５～２０％，聚碳硅烷质量为金刚石颗粒质量的０．１～５％，碘粉质量为金刚石颗粒质量的０．５～５%。