除了应用于传统的超硬制品,CBN在半导体光电子器件以及平板显示等领域均有着潜在的应用前景。由于本征CBN的电阻率非常高,接近绝缘体,因此要想将其应用到电子领域,就必须要进行合适的掺杂以调节其电学性能。理论计算表明,Be和Mg替代CBN中的B原子,会形成p型导电,而Si和C替代cBN中的B原子会形成n型导电。
此外,随着CBN薄膜外延生长的成功实现使得CBN应用于高温高频半导体器件成为可能,伴随而来就是探索高品质、无缺陷、少杂质、掺杂可调的CBN外延膜的有效制备途径。
除了应用于传统的超硬制品,CBN在半导体光电子器件以及平板显示等领域均有着潜在的应用前景。由于本征CBN的电阻率非常高,接近绝缘体,因此要想将其应用到电子领域,就必须要进行合适的掺杂以调节其电学性能。理论计算表明,Be和Mg替代CBN中的B原子,会形成p型导电,而Si和C替代cBN中的B原子会形成n型导电。
此外,随着CBN薄膜外延生长的成功实现使得CBN应用于高温高频半导体器件成为可能,伴随而来就是探索高品质、无缺陷、少杂质、掺杂可调的CBN外延膜的有效制备途径。
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