金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,西安英特斯克半导体科技有限公司申请一项名为“金刚石晶体拼接修复方法”的专利,公开号CN120060978A,申请日期为2024年07月。
专利摘要显示,本发明适用于金刚石晶体拼接技术领域,提供了金刚石晶体拼接修复方法,利用处理单晶金刚石的瑕疵,将处理后的金刚石单晶籽晶进行拼接处理,随后对衬底上的籽晶一同精密抛光,紧接着利用微波等离子体化学气相沉积方法在拼接衬底上进行单晶金刚石外延生长,从而能够得到大尺寸金刚石。
金融界2025年6月2日消息,国家知识产权局信息显示,西安英特斯克半导体科技有限公司申请一项名为“金刚石晶体拼接修复方法”的专利,公开号CN120060978A,申请日期为2024年07月。
专利摘要显示,本发明适用于金刚石晶体拼接技术领域,提供了金刚石晶体拼接修复方法,利用处理单晶金刚石的瑕疵,将处理后的金刚石单晶籽晶进行拼接处理,随后对衬底上的籽晶一同精密抛光,紧接着利用微波等离子体化学气相沉积方法在拼接衬底上进行单晶金刚石外延生长,从而能够得到大尺寸金刚石。
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