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       3月24日消息，国家知识产权局信息显示，深圳优普莱等离子体技术有限公司申请一项名为“一种平整多晶金刚石膜的制备方法、系统及终端”的专利，公开号 CN 119663439 A，申请日期为2025年1月。

       专利摘要显示，本发明公开了一种平整多晶金刚石膜的制备方法、系统及终端，所述方法包括：获取单晶硅衬底和纳米金刚石悬浮液，并将所述纳米金刚石悬浮液在所述单晶硅衬底上进行旋涂处理，得到均匀旋涂液薄膜；设置预设金刚石生长环境和具有预设散热配比的目标钼片并根据所述目标钼片和所述预设金刚石生长环境对所述均匀旋涂液薄膜进行金刚石培育处理，得到初始多晶金刚石薄膜；对所述初始多晶金刚石薄膜进行再处理，得到目标多晶金刚石膜。本发明通过设置预设金刚石生长环境和具有预设散热配比的目标钼片，以此来实现对多晶金刚石薄膜内部应力分布的控制，后续经过再处理后，能够得到大尺寸且翘曲度低的多晶金刚石膜。