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       专利号：201110004740

       申请人：大连理工大学

       技术简要说明：本发明属于微纳米材料技术领域，涉及一种硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法。本发明的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，在硅基底上先超声接种金刚石种子，再采用微波等离子体化学气相沉积法，形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm。本发明的硼掺杂金刚石微纳米材料比表面积大，可用于电化学检测等方面。

       主权利要求：１．一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为５～２０μｍ、柱直径为１～１０μｍ、柱间距为２～１０μｍ的柱状阵列结构，硅柱的轴向相互平行；在硅基底上先超声接种金刚石种子，再以甲烷为碳源、硼烷为硼掺杂剂、采用微波等离子体化学气相沉积法形成厚度为０．５～２μｍ的硼掺杂金刚石膜，制成柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石柱高度为５．５～２２μｍ、直径为２～１４μｍ、柱间距为０．４～８μｍ，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构。