纳米金刚石薄膜的制备装置 _专利

纳米金刚石薄膜的制备装置

关键词纳米金刚石 , 薄膜 , 制备装置 |2010-12-16 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称纳米金刚石薄膜的制备装置公开号1332268公开日2002.01.23主分类号C23C16/27

名称	纳米金刚石薄膜的制备装置
公开号	1332268	公开日	2002.01.23
主分类号	C23C16/27	分类号	C23C16/27;C23C16/50
申请号	01126358.X
分案原申请号		申请日	2001.07.27
颁证日		优先权
申请人	中国科学院上海光学精密机械研究	地址	201800上海市800－211邮政信箱
发明人	龚辉;范正修	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构	上海华东专利事务所	代理人	李兰英
摘要	一种纳米金刚石薄膜的制备装置，主要适用于在硅基板上制备大面积均匀纳米金刚石薄膜。它包括带有进气口和抽气口的反应炉体，反应炉体内充有氢气和甲烷的混合气体，并置有相互平行置放的正极板和负极板，在正极板和负极板处分别置有热丝和基板。正与负极板之间连接有启辉器和电压调节器。当正负两极板之间的启辉器产生瞬间高压时，激活了反应炉体内的氢气和甲烷的混合气体，产生等离子体，调节正负两极板间的电压调节器，控制两极板之间的电流恒定，致使反应炉体内的等离子体活化区稳定。用本发明的制备装置生长出的纳米金刚石薄膜比在先技术生长的薄膜晶粒尺寸小、表面粗糙度小、内应力小、面积大而均匀

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