CBN薄膜的制备以气相沉积为主,包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。1978年,Sokolowski利用反应脉冲等离子体在同轴等离子体发生器里率先得到了致密相BN薄膜,激发了人们对CBN薄膜的广泛关注。至20世纪90年代,人们已经能够运用多种PVD和CVD手段成功地制备高立方相含量的CBN薄膜,包括各种溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积、离子束辅助沉积、等离子体增强CVD等许多方法。
CBN薄膜的制备以气相沉积为主,包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。1978年,Sokolowski利用反应脉冲等离子体在同轴等离子体发生器里率先得到了致密相BN薄膜,激发了人们对CBN薄膜的广泛关注。至20世纪90年代,人们已经能够运用多种PVD和CVD手段成功地制备高立方相含量的CBN薄膜,包括各种溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积、离子束辅助沉积、等离子体增强CVD等许多方法。
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