超硬材料网

       8月20日，中国科学院和中国工程院分别公布2025年院士增选有效候选人名单的公告。中国科学院院士增选有效候选人639人，中国工程院院士增选有效候选人660人。后续将进行外部同行专家评选、院士增选大会选举，选出新增选院士。

       值得关注的是，在候选人名单中，不少团队长期深耕于金刚石及宽禁带半导体领域。他们的入选不仅彰显了该领域的科研价值，也折射出其在国家战略和产业应用中的重要地位。以下为涉及的研究团队：（排名不分先后，如有遗漏，欢迎补充指正）

       哈尔滨工业大学朱嘉琦

       主要从事金刚石晶体材料、透明件材料以及高导热复合材料等研究。单晶金刚石具有极佳的电学性能等，还具有最高的材料热导率、良好的化学惰性、高的辐射抗性,被称为终极半导体材料。团队在金刚石成工艺、金刚石高导热及半导体器件应用等领域取得显著进展。

       西安电子科技大学张进成

       研究方向为超宽禁带半导体电子学（氧化镓、金刚石、氮化铝等）、宽禁带半导体电子学（氮化镓等）、大功率射频芯片与电力电子芯片。近年来针对超宽禁带半导体研究取得了一系列突破性进展，包括金刚石场效应晶体管在栅长为2 μm时仍然具有400 mA/mm高电流密度并能稳定工作在200 °C等。

       哈尔滨工业大学武高辉

       团队首创的大气环境下金属基复合材料浸渗、成型、界面反控制同步制造技术，实现了低成本、绿色化制造的金刚石/铝和金刚石/铜超高导热复合材料及净成型构件，成功解决了高功率器件的散热问题。

       华侨大学徐西鹏

       研究方向为“硬脆材料先进加工科学与技术”，研究领域为“半导体材料精密超精密磨粒加工新技术”，主持国家自然科学基金重点项目“晶圆级单晶金刚石衬底的活性硬质磨粒协同加工原理与关键技术研究”。

       山东大学徐现刚

       在碳化硅生长机理、高纯半绝缘创制、装备研发及产业化方面取得了系列创造性成果。先后突破了2-12英寸碳化硅单晶生长技术，在我国首次攻克了高纯半绝缘碳化硅晶体制备系列技术壁垒，应用于雷达系统的核心器件，已全面列装到先进战机、制导武器、大型战舰等我军主力装备。

       北京大学沈波

       从事III族氮化物（GaN基）宽禁带半导体物理、材料和器件研究，在强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律、GaN基异质结构外延生长和缺陷控制等方面取得在国内外同行中有一定影响的重要进展。在GaN基异质结构二维电子气自旋性质、GaN基量子阱子带跃迁器件等方面取得一系列进展。

       西安电子科技大学马晓华

       从事宽禁带半导体基础创新和关键技术研究二十余年，“高能效超宽带氮化镓射频功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目获2023年度国家科学技术进步一等奖。

       中国科学院物理研究所陈小龙

       长期从事功能晶体材料研究工作，发展了宽禁带半导体碳化硅晶体生长新方法，实现了我国碳化硅晶体生长和加工技术从零到一、产品从无到有、产业自主可控。通过发现并利用碳化硅/石墨异质双界面的自发成核规律，发明了电场-磁场-热场高效耦合的单晶生长方法和装备，攻克了晶体扩径这一学术界公认的难题。在国内最早开展成果转化，创立国内第一家碳化硅晶体产业化公司。提出界面能调控晶型理论，通过设计助溶剂成份，在国际上首次生长出具有实用价值的2-6英寸的3C-SiC晶体。3C-SiC/SiO2栅氧界面态密度降低1个数量级。

       株洲中车时代半导体有限公司刘国友

       2008年开始主持大功率IGBT芯片与模块技术的研究与开发，2010年着手组建功率半导体林肯研发中心，聚焦IGBT和碳化硅技术。