半导体功率升级,热管理正是扼喉之痛。当传统散热材料逼近极限,金刚石以其傲视群雄的导热性能(>2000 W/mK),成为破局热障的终极答案。荣盛集团(Glory Zenith Group),专注金刚石生长技术,以“三大里程碑式突破”,强势推动金刚石热沉技术迈向大规模工业应用,为高功率电子设备注入强劲“冷静”基因。
突破一:大尺寸金刚石基板量产,解锁大晶圆级散热方案
成功稳定生长 5 英寸(125mm)、6 英寸(150mm)大面积多晶金刚石,厚度高达 400μm,并实现 “无翘曲”关键指标。大尺寸、平整度高是热沉集成化、标准化的基石。此突破直接满足第三代半导体(GaN、SiC)功率器件、高端激光巴条、微波射频模块等对大面积、均质高效散热的迫切需求,为晶圆级金刚石散热方案铺平道路,显著提升了器件的功率密度与可靠性。
大尺寸金刚石多晶片
突破二:高取向、高速生长,颠覆效率与成本天花板
实现高度(100)晶面择优取向生长,大幅提升热导率一致性;生长速度飙升至最高 11μm/h,平均 8μm/h,单次生长厚度 1.2mm 不开裂,效率远超常规工艺(通常<1-2μm/h)5 倍以上。高取向保障了材料优异且一致的热学性能,(100)晶面更是后续材料加工的优选面。革命性的生长速度将直接大幅降低金刚石热沉的生产周期与综合成本,破除其广泛应用的核心障碍,让“钻石散热”真正走向普及。
显微镜下金刚石多晶高(100)取向图
突破三:从材料到元件,元件制造能力加码
荣盛集团新获授权的金刚石元件制造领域相关专利,标志着荣盛集团在金刚石热沉精密加工、与终端器件(如芯片)的高可靠集成等核心工艺环节建立起了护城河。这将加速高性能金刚石散热解决方案在 5G/6G 基站、数据中心、雷达、高功率激光器等前沿领域的落地应用。赋能多个高精尖科技行业突破关键瓶颈,实现飞跃技术发展,带来世界级的科技核心竞争力。
金刚石衰减器/负载产品局部细节及尺寸展示
荣盛集团以“大尺寸”、“高取向高速生长”、“核心专利”三大突破,直击金刚石热沉产业化的痛点与难点。实现从材料到元件加工的全工艺流程,不仅提供性能卓越的金刚石材料,更致力于打造可靠、高效、可大规模部署的散热解决方案。
荣盛集团创新突破加速芯片散热等关键技术的迭代,将不断夯实我国在下一代半导体、量子计算等 “卡脖子” 领域的材料根基,助力提升高端制造全球竞争力。通过绿色合成技术降低金刚石产业碳排放,荣盛集团正以科技硬实力驱动产业升级,为全球低碳技术转型与尖端科技突破注入中国动能,重塑人类社会未来科技发展版图。