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申请号: 201721459229.7

申请日: 2017.10.31

申请人: 江苏西玉钻石科技有限公司   

发明人: 曹大呼; 龙政鑫; 李培培

       摘要： 

       本实用新型涉及一种双碳源合成人造金刚石制备装置，所述制备装置包括传压介质立方体、石墨加热管和合成腔室，所述合成腔室的MgO晶床上具有间隔设置的容置晶种凹槽，所述MgO晶床上还设有若干盲孔。本实用新型通过采用石墨‑金刚石微粉双碳源，可在高温‑高压温度梯度法生长多颗人造金刚石单晶时，显著提高最初48小时内金刚石单晶生长速度，使单晶平均生长速度达到10mg/hr；单晶净度可达到VVS级。     

       主权利要求:

       一种双碳源合成人造金刚石制备装置，其特征在于，所述制备装置包括传压介质立方体、石墨加热管和合成腔室，所述石墨加热管位于传压介质立方体内孔内壁，所述合成腔室由位于下部的MgO晶床、沿MgO晶床周边设置的MgO管子和上面的MgO盖子围合成密闭空间；所述合成腔室的MgO管子外壁与石墨加热管内壁紧密贴合；所述MgO盖子与MgO晶床之间具有容置碳源和金属催化剂的空间；所述MgO晶床上具有间隔设置的容置晶种凹槽，所述MgO晶床上还设有若干盲孔。