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　　申请号：201510870990.9
　　申请人：中国科学院深圳先进技术研究院
　　发明人：唐永炳 朱雨 牛卉卉

　　摘要： 本发明适用于金刚石合成技术领域，提供了一种用于制备金刚石的基台组件，包括水冷台和设置在所述水冷台上的基片托，所述水冷台和所述基片托紧密连接，其中，所述基片托近外边缘处的上下表面开设环形槽，分别形成上热桥和下热桥，所述水冷台和所述基片托之间设置有导热垫圈，所述导热垫圈设置在所述基片托下表面、以所述下热桥为界的外圈部分。 　　主权利要求：1.一种用于制备金刚石的基台组件，包括水冷台和设置在所述水冷台上的基片托，其特征在于，所述水冷台和所述基片托紧密连接，其中，所述基片托近外边缘处的上下表面开设环形槽，分别形成上热桥和下热桥，所述水冷台和所述基片托之间设置有导热垫圈，所述导热垫圈设置在所述基片托下表面、以所述下热桥为界的外圈部分。
　　2.如权利要求1所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述环形槽与所述基片托外缘之间的距离为2-10mm；和/或所述上热桥和下热桥之间的距离≤2mm。
　　3.如权利要求1所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述导热垫圈由导热系数＞200W.m-1.K-1的导热材料制成。
　　4.如权利要求3所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述导热垫圈为石墨垫圈、金属垫圈或陶瓷垫圈中的一种，其中，所述金属垫圈包括铜圈、银圈、金圈；所述陶瓷垫圈包括氧化铝垫圈、氮化铝垫圈、氮化镓垫圈。
　　5.如权利要求4所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述导热垫圈为石墨垫圈。
　　6.如权利要求1-5任一所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述基片托为熔点≥2000℃的耐高温材料；或所述基片托为表面涂覆有熔点≥2000℃的耐高温材料的基体材料，且所述基体材料的熔点≥1500℃。
　　7.如权利要求1-5任一所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述基片托上开设有通孔，所述基片托通过穿过所述通孔的螺钉与所述水冷台固定连接；或所述基片托和所述水冷台之间焊接连接。
　　8.如权利要求1-5任一所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述基片托的上表面边缘具有圆弧倒角，所述圆弧倒角的半径≤2mm。
　　9.如权利要求8所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述基片托的上表面开设有用于固定基片的凹槽。
　　10.如权利要求9所述的用于制备金刚石的基台组件，其特征在于，所述凹槽由上下两个梯田式槽构成，其中，上槽大于下槽，且所述下槽和所述上槽的边缘相距1-2mm。