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　　申请号：201510306801.5
　　申请人：苏州旦能光伏科技有限公司
　　发明人：苏晓东 叶晓亚

　　摘要：本发明公开了一种金刚石线切割硅片的表面处理方法及制绒方法，金刚石线切割硅片表层覆盖有切割引起的非晶硅层，且金刚石线切割硅片表面密布平行的线痕，表面处理方法包括：将金刚石线切割硅片进行清洗预处理；将清洗预处理后的金刚石线切割硅片放入含有金属离子、氧化剂和刻蚀剂的混合溶液中，先后进行金属离子附着、氧化生成SiO2、催化化学刻蚀反应；分别用第一清洗液、第二清洗液、去离子水清洗刻蚀后硅片，分别去除硅片表面残留的金属粒子、氧化层、化学残留；清洗后即可得到去除线痕和含有微缺陷非晶层的硅片。本发明能够使用常规工艺对金刚石线切割硅片进行有效制绒，并且通过其制备的晶体硅太阳能电池的转换效率得到了提高。 　　主权利要求：1.一种金刚石线切割硅片的表面处理方法，所述金刚石线切割硅片表层覆盖有切割引起的非晶硅层，且金刚石线切割硅片表面密布平行的线痕，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将金刚石线切割硅片进行清洗预处理；S2、将清洗预处理后的金刚石线切割硅片放入含有金属离子、氧化剂和刻蚀剂的混合溶液中，进行金属离子附着、氧化生成SiO2、催化化学刻蚀反应；所述金属离子选自金离子、银离子、铜离子和铁离子中的一种或多种；所述氧化剂选自H2O2、HNO3、H2CrO4溶液中的一种或多种；所述刻蚀剂为HF；S3、分别用第一清洗液、第二清洗液、去离子水清洗刻蚀后硅片，分别去除硅片表面残留的金属粒子、氧化层、化学残留；所述第一清洗液为硝酸溶液；所述第二清洗液为氢氟酸溶液；清洗后即可得到去除线痕和含有微缺陷非晶层的硅片。
　　2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金刚石线切割硅片为 金刚石线切割单晶硅片或金刚石线切割多晶硅片。
　　3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金刚石线切割硅片表 层覆盖的非晶硅层厚度为1～50nm，表面的线痕高度为1～10μm。
　　4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括： S11、将金刚石线切割硅片放入HF溶液中清洗，去除表面的SiO2氧化层； S12、将去除表面SiO2氧化层后的金刚石线切割硅片使用去离子水进行超 声清洗。
　　5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S11具体为： 将金刚石线切割硅片放入质量百分比1～10％HF溶液中清洗，去除表面的 SiO2氧化层，清洗时间为60～1200秒，清洗温度为5～30℃。
　　6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括： 金属离子附着，金刚石线切割硅片将金属离子还原成金属粒子并选择性 附着在非晶硅层和线痕表面； 氧化生成SiO2，硅片表面被氧化生成SiO2层； 催化化学刻蚀反应，金属粒子作为化学刻蚀的催化剂，生成的SiO2被刻 蚀剂溶解生成水溶性物质，同时氧化剂继续氧化硅片生成SiO2，从而使得这 一溶解-氧化过程保持下去，对硅片进行化学刻蚀。
　　7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中金属离子 的浓度为0.0001～1mol/L，氧化剂的浓度为0.001～5mol/L，刻蚀剂的浓度为 1～20mol/L，步骤S2的反应时间为10～3600秒。
　　8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中： 第一清洗液为质量百分比为10～70％的硝酸溶液，清洗时间为60～1200秒， 清洗温度为5～90℃； 第二清洗液为质量百分比为1～10％的氢氟酸溶液，清洗时间为60～1200 秒，清洗温度为5～50℃。
　　9.一种金刚石线切割硅片的制绒方法，其特征在于，所述制绒方法包括： 采用权利要求1～8中任一项所述的方法对金刚石线切割硅片进行表面处 理； 将表面处理后的硅片放入制绒溶液中进行制绒。