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       高性能计算芯片的多功能集成和小型化推动了自动驾驶、人工智能、6G通信等前沿半导体技术的快速发展，但这一进步也同时加剧了热管理挑战；虽然金刚石增强铜基体（金刚石/铜）复合材料可以通过界面改性获得高的导热系数，但复合材料与半导体材料之间的热膨胀系数（CTE）存在显著的不匹配，沿着长期使用时传热性能的下降，严重阻碍了其工程应用。

       图文导读

图1.金刚石/铜复合材料的制备过程示意图。

图2.（a）横向周期模型;（B）金刚石（111）/Cu（111）和（c）金刚石（111）/WC（0001）/CuZr（111）的界面结构模型。

图3.（a）WD/Cu（Zr）-t复合材料的TC和ITC值;（B）TC与先前报道的数据的比较，其中橙子、蓝色和红色色块分别代表表面金属化、基体合金化和偶联改性方法。

图4.（a）实时温度响应系统示意图;（B）CuZr合金、WD/Cu（Zr）-0和WD/Cu（Zr）-45复合材料的红外热图像和（c）温度-时间曲线。

图5.（a）WD/Cu（Zr）-0和WD/Cu（Zr）-45复合材料的CTE与Cu、金刚石、SiC和GaN的CTE的比较。（B）金刚石/Cu复合材料在HCST后k的变化。

图6.（a）金刚石颗粒的形态，（B）粒度分布直方图，（c）XRD图谱;（d）镀W金刚石颗粒的形态，（e，f）相应的EDS元素图谱。

图7.来自各种金刚石/Cu复合材料的金刚石颗粒的形态：（a）WD/Cu（Zr）-0和（B）（a）中的局部EDS图;（c）WD/Cu（Zr）-25;（d）WD/Cu（Zr）-35;（e）WD/Cu（Zr）-45和（f）（e）中的局部EDS图。