均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法 _专利

均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法

关键词阵列 , 金刚石 , 膜管|2010-12-21 00:00:00|行业专利|来源中国超硬材料网

摘要名称均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法公开号1355331公开日2002.06.26主分类号C23C16/27&nbs

名称	均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法
公开号	1355331	公开日	2002.06.26
主分类号	C23C16/27	分类号	C23C16/27;C30B25/00
申请号	00132598.1
分案原申请号		申请日	2000.11.30
颁证日		优先权
申请人	黑龙江省光电技术研究所	地址	157000黑龙江省牡丹江市光华街106－1号
发明人	申家镜;邵春雷;魏雪峰	国际申请
国际公布		进入国家日期
专利代理机构		代理人
摘要	均匀热场阵列生长金刚石膜管的方法，其特征是它是在充有含碳气体化合物等气体的容器内，通过电热丝架使电热丝呈弧口相对的圆弧形竖立排列，且使多根膜管生长丝通过丝架竖直排列在弧口相对的两电热丝列之间。该方法一次制做操作流程可生产多根长短不一，内径各异，管壁厚度均匀的金刚石膜管，可大大降低生产成本。

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