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       8月13日，台积电在董事会会议后，确定将在两年内淘汰6英寸晶圆生产，并对8英寸晶圆产能进行调整。具体来说，负责6英寸生产的Fab 2与部分8英寸产能的Fab 5，将于2027年底停产。台积电表示，将协助客户转向12英寸晶圆厂，并重新部署部分员工到先进封装业务，以提升生产效率。

       在全球范围内，6英寸与8英寸晶圆主要承载功率半导体、射频器件、传感器等领域，而这些领域正是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等第三、四代半导体材料的舞台。此次台积电的调整，不仅是工艺升级的信号，也映射出产业正加速迈向更大尺寸、更高性能的新材料路线。

       从4英寸到12英寸

       过去二十年，晶圆尺寸经历了4英寸 → 6英寸 → 8英寸 → 12英寸的演进。尺寸放大带来的优势很直接：在同样的生产批次中可以制造更多芯片，摊薄成本，提高产能效率。

       碳化硅（SiC）：主流量产尺寸已从4英寸过渡到6英寸，8英寸正在加速布局，2020-2024年，6英寸外延片销售额由3亿美元增长至8亿美元，年复合增长率为29.5%。8英寸市场规模快速提升，2024年8英寸外延片市场规模提升至3.12亿美元，2020-2024年复合增长率186.3%。英飞凌、Wolfspeed等厂商已布局8英寸SiC晶圆，预计2026年前后将成为行业主流，良率爬坡仍是瓶颈。

       氮化镓（GaN）：早期依赖6英寸硅基外延，如今部分厂商已在8英寸上量产，正探索12英寸路线，但成本和外延缺陷控制是挑战。

       金刚石（Diamond）：目前还处于2-4英寸阶段的研发和小批量生产，受制于单晶大尺寸生长技术和成本，未来一旦突破，将可能直接跳跃到高功率器件与高频通讯领域。

       但对于碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料来说，尺寸升级不仅仅是“放大”这么简单，还伴随着良率、缺陷密度、翘曲度、热应力等技术挑战。晶圆尺寸放大带来的最大挑战是良率、成本、工艺兼容性。同时，下游客户设备以及工艺需要同步升级，这也影响了材料的产业化节奏。

       台积电动作的产业信号

       台积电淘汰6英寸晶圆，实际上释放了一个产业节奏信号：低代工艺节点与小尺寸产线将逐步退出历史舞台，取而代之的是更大尺寸、更高性能的材料平台。对于碳化硅、金刚石这样的新材料来说，这是一次向主流制造体系靠拢的契机，也可能成为未来3-5年内半导体行业新一轮资本与技术竞赛的焦点。

       从6英寸到12英寸，不只是台积电的生产线变化，而是半导体材料与工艺一次整体的代际升级。碳化硅、金刚石、氮化镓等材料正沿着晶圆尺寸放大的路径前行，而谁能率先突破技术瓶颈、实现成本可控，谁就有机会在下一轮半导体竞赛中占据高地。